2023年12月初，三星电子社长李在镕随韩国总统尹锡悦前往荷兰，与光刻机制造商ASML达成重要的商业协议。三星和ASML同意共同投资1万亿韩元（约合7.62亿美元）在韩国建设一座研究工厂，以开发使用EUV光刻机的尖端半导体制造技术。三星电子总裁兼CEO、设备解决方案部负责人Kyung Kye-hyun博士强调，公司的最新协议将帮助其获得下一代高数值孔径（High-NA）EUV光刻机。
目前ASML是全球唯一的EUV光刻机制造商，该产品用于制造7nm及以下制程芯片，然而这类设备年产量仅为40~50台，供不应求。李在镕此次访韩，目的也是当面协商请求ASML优先供货。
Kyung表示，三星已经获得了High-NA EUV光刻机的优先供货权，相信可以利用此次机会使得三星在DRAM存储芯片和逻辑芯片生产中优化High-NA技术的使用。在即将于韩国京畿道东滩建立的芯片研究设施中，来自ASML和三星的工程师将合作，改进EUV芯片制造技术。三星与ASML的交易重点不是单纯将2nm芯片制造设备引入韩国，而是与这家公司建立合作伙伴关系，以便更好地利用下一代设备。
消息称ASML计划在2024年推出10台2nm芯片制造设备，而英特尔已经预订了其中的6台。最新型号的High-NA EUV光刻机可以将聚光能力从0.33提高至0.55，能够获得更精细的曝光图案，用于2nm制程节点。未来几年，ASML希望将这种最新设备的产能提高至每年20台。
在成功获得ASML最新光刻机之后，三星计划于2025年底开始生产2nm芯片，然而有第三方分析称这一计划可能出现延迟，这取决于市场状况和生产良率等。
高通几年前将骁龙888、骁龙8 Gen1芯片独家委托给三星代工，使用5nm、4nm制程工艺，但由于三星工艺问题，这代芯片出现了严重的发热问题，致使高通不得不紧急转而寻求台积电进行代工。近日有消息称高通第五代骁龙8有望重新回到三星进行代工制造，使用2nm工艺。不过，台积电、三星、英特尔都对2nm制程野心勃勃，积极向客户展示最新技术，试图争夺订单。
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